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喜报!江风益院士团队项目荣获国家自然科学奖一等奖

发布时间:2026-07-08

喜报


江风益院士团队项目荣获国家自然科学奖一等奖!

国家科学技术奖励大会、两院院士大会、中国科协第十一次全国代表大会8日上午在京召开。南昌大学江风益院士团队完成的“V缺陷三维PN结及应用”项目荣获国家自然科学奖一等奖。

项目属于应用基础研究,深耕硅基氮化镓LED,跳出国外技术路线的延长线,走出自主研发的新路径,提出了新理论方法,实现了技术水平跃升,从基础研究起步做到了商品化。

项目发现,该材料量子阱区域,位错诱导形成的大尺寸V缺陷三维结构,具有增强空穴注入量子阱和提高量子阱质量等有益作用,打破“位错缺陷越少越好/越小越好”传统认知。提出了V缺陷三维PN结理论方法,使PN结界面由二维发展到三维,空穴注入量子阱的路径从势垒高的极性面转变为从势垒低的半极性面,使V缺陷从有“大害”到有“小害”,发展为有“大用”。由此,大幅提升黄光LED光效、氮化镓红光LED光效和蓝绿光LED电注入效率。

项目开拓了纯芯片LED照明技术路线(无荧光粉),产品批量应用于路桥照明和氛围照明等场景。项目显示芯片批量应用于特种专项装备。项目实现了硅基氮化镓LED与硅基电路晶圆级集成,研制成功微型显示屏及首款黄光AR眼镜。

项目在非共识路线上提出的理论方法,获国际同行公认,被推广应用到量大面广的共识路线,提升其技术水平,推进半导体发光学科和半导体照明显示产业发展。

国家自然科学奖是我国五大国家级科学技术奖之一。2025年度国家科学技术奖颁发国家自然科学奖51项,其中一等奖3项、二等奖48项。

2016年2月3日,习近平总书记亲临南昌大学,对学校科技创新、人才培养提出殷切期望,给南昌大学师生带来巨大鼓舞,为学校发展注入强大动力。十年来,南昌大学牢记嘱托、感恩奋进。本次获奖既是江风益院士团队在知识创新与技术创新方面交出的一份答卷,也是全校师生践行科技自立自强的生动体现。


项目主要完成人介绍


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江风益,男,汉族,中共党员,1963年生于江西余干,1980-1984年本科就读于吉林大学物理系,1989年硕士研究生毕业于中国科学院长春物理研究所(现光机物理所),长期在江西工作。南昌大学教授,南昌实验室主任,中国科学院院士(信息技术科学部)。2025年度国家自然科学奖一等奖项目“V缺陷三维PN结及应用”第一完成人。


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张建立,男,汉族,1983年生于湖北黄梅,2006年本科毕业于新加坡国立大学,2014年博士研究生毕业于南昌大学。南昌大学研究员,南昌实验室首席科学家。2025年度国家自然科学奖一等奖项目“V缺陷三维PN结及应用”第二完成人。


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徐龙权,男,汉族,中共党员,1971年生于江西丰城,1989-1993年本科就读于南昌大学电机工程系,1998年硕士研究生毕业于南昌大学电力电子研究所。南昌大学教授,南昌实验室副主任。2025年度国家自然科学奖一等奖项目“V缺陷三维PN结及应用”第三完成人。


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全知觉,男,汉族,九三社员,1977年生于江西临川,1995-2002年本科及硕士研究生就读于华北工学院材料工程系,2007年博士研究生毕业于中国科学院上海技术物理研究所。南昌大学研究员。2025年度国家自然科学奖一等奖项目“V缺陷三维PN结及应用”第四完成人。


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吴小明,男,汉族,中共党员,1985年生于江西新余,2003-2007年本科就读于华中科技大学材料学院,2015年博士研究生毕业于南昌大学。南昌大学研究员,南昌实验室总工程师。2025年度国家自然科学奖一等奖项目“V缺陷三维PN结及应用”第五完成人。